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RF MEMS双掷单发胶片开关研究.pdf

2019-05-20 16:54 作者:亚洲365bet备用 来源:365bet体育在线大陆 浏览: 字号:

摘要:RF MEMS双掷单发胶片开关研究.pdf

摘要
单刀双掷开关广泛用于信号分量中的信号路由,相控阵天线中的开关相位开关和宽带调谐网络。
诸如P功率二极管和MESFET管之类的固态器件通常集成在单刀双掷开关网络中,以实现单刀双掷功能。
本文介绍了这些好处。
MEMS)
用微机械射频开关和微波传输技术设计新型单极单极MEMS开关
该开关具有低插入损耗和回波损耗,高隔离度,高功率处理能力,良好的线性度,良好的频率带宽,并且易于集成。
创造,降低成本
根据不同的微波传输线设计了两种MEMS极双射开关。
微带线型
和四分之一共面波长波导的两段。
MEMS单极单极薄膜开关采用AC-DC隔离结构,即膜下的信号。
由于在线路的两侧增加了额外的电极,因此可以方便地分别控制两个薄膜开关,因为不需要将驱动电压添加到信号线。
现在,单杆双击功能。
本文提出的单极单极MEMS单次薄膜开关由两个波导共面波导微带/波导线的对称MEMS薄膜组成。
开关,T或Y分支结构和两个四分之一波微带线。
MEMS单刀双掷开关主要基于导通开关的插入损耗,分离开关的分离以及整个开关的反射损耗。
数值仿真分析,仿真结果表明了该设计的可行性。
55本文根据中国电子科技集团的工艺条件,在结构设计的基础上实施了本文的单极双掷薄膜开关。
工艺和设计设计,几套等效和测试结构的设计,以及微波性能的测量。
测量结果是
回波损耗高达35 dB,隔离开关隔离度为-30 dB,点火开关插入损耗为0.6 dB。
本文档中设计的单次MEMS单极开关工艺与6aAs IC工艺完全兼容。
关键词:微机械射频,单极单极开关,薄膜开关,插入损耗,绝缘,回波损耗,砷化镓MMICI
摘要
用于T / Rline
单脉冲单极开关(SPDT)
用于宽带和宽带设备的Shifler,如PIN y MESFET
网络协调。通常,solidimegrado
交换机网络用于促进和制造SPD。
它的功能
综合实施新设计
膜采用SPDT开关
切换调查
广泛的SPT(单刀单掷)MEMS
微波炉也有同样的道理
它不是膜
技术唯一的好处
为了实现

插入并返回
?低线性开关


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